首页 > 商品目录 > > > > BSS123NH6433XTMA1代替型号比较

BSS123NH6433XTMA1  与  BSS123N H6327  区别

型号 BSS123NH6433XTMA1 BSS123N H6327
唯样编号 A-BSS123NH6433XTMA1 A-BSS123N H6327
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.4Ω
上升时间 - 3.2ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 900pC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 20.9pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 410mS
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.9nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 190mA
配置 - Single
长度 - 2.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6 欧姆 @ 190mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 22ns
高度 - 1.10mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 500mW(1/2W)
典型关闭延迟时间 - 7.4ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 13uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - BSS123
25°C时电流-连续漏极(Id) 190mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 100V -
典型接通延迟时间 - 2.3ns
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS123NH6433XTMA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS123N H6433_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
BSS123N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS123NH6327XTSA1_100V 190mA 2.4Ω 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 3,000 对比
BSS123Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 N-Channel 100V 0.17A 车规

¥0.468 

阶梯数 价格
110: ¥0.468
500: ¥0.3133
2,045 对比
BSS123Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 N-Channel 100V 0.17A 车规

暂无价格 0 对比
BSS123Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 N-Channel 100V 0.17A 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售